高精度镀膜——RF离子源

国泰真空全自主研发几年时间

设计出GTRF-17和GTRF-23两款大功率RF离子源，

提供高质量薄膜和稳定的工艺操作。

打破了国外市场对国产镀膜行业的技术封锁，同时也激励了国内的同行制造业。

RF离子源-首先使用13.56MHz高频信号激励电离子体，

产生等离子体，然后分别抽出离子、电子，

让其在空间内中和形成等离子体的高能离子源。

主要运用于高度控制的光学镀膜的离子束辅助沉积或离子束沉积

国泰真空设计制造的RF离子源利用多层立体栅网确保离子束方向性，支持离子束流和能量分别独立控制。

具有工作时间长，能量高，均匀区大，污染小等优点。

水煮15分钟，曲线无基本变化;镜片粘拉后未发现膜掉情况

射频离子源通过改进能量和电流的均匀度，

提高了膜层的堆积密度和材料的氧化度。

抑制温度漂移、波长漂移以及解决了膜层牢固度和膜料折射率等问题。

适用于半导体、航天、光通讯、医疗、传感器等多个高端镀膜应用。

射频离子源工艺指标对比：中空阴极中和器 VS RFC射频中和器

背景： 对比中空阴极中和器和RFC射频中和器两大射频离子源中和器统一工艺下的输出差异

结论：博顿光电射频离子源配备HO中空阴极中和器和RFC射频中和器，工艺验证数据结果显示，差异不大。

离子源中和器的作用是在真空状态下产生“电子云”，并将电子束发射到离子源外层合适的位置，为离子源引出的离子提供电荷平衡，形成中性粒子。

射频离子源中和器按照工作方式，可以分为热灯丝中和器、PBN等离子桥中和器、HO中空阴极中和器和RFC射频中和器等多种；博顿光电射频离子源主要采用HO中空阴极中和器和RFC射频中和器两种 。

下面是博顿光电HO中空阴极中和器 和RFC射频中和器射频离子源 的工艺结果指标对比 。为了数据更具可比较性，同一工艺过程中刻意让膜层呈现一定比例吸收。

01

同一条件下不同中和器对比

为保证验证的真实可靠性，将采取两组不同电压的参数对两款中和器进行验证。

验证1：统一小功率条件

工艺参数 ⇩

两款中和器测试结果 ⇩

算出材料NK值 ⇩

图表对比--N值 ⇩

图表对比--K值 ⇩

小结：

从上述可看出，中空阴极中和器和RFC射频中和器的N、K值整体差异不大 ，工艺结果指标差异不大。

以500左右的波段为例，

折射率N值方面：中空阴极中和器比RFC射频中和器大0.2746；

材料吸收K值方面：中空阴极中和器比RFC射频中和器大0.00024。

验证2：统一加大功率条件

工艺参数 ⇩

两款中和器测试结果 ⇩

算出材料NK值 ⇩

图表对比--N值 ⇩

图表对比--K值 ⇩

小结：

折射率N值方面：中空阴极中和器比RFC射频中和器大，与小功率的一样（以500左右的波段为例，差异值为0.05705）；

材料吸收K值方面：中空阴极中和器比RFC射频中和器小（以500左右的波段为例，差异值为0.00054）。

02

总结

两款中和器NK值对比

两款中和器材料吸收随着波长的递增吸收逐渐减小，1100V1000mA的功率RFC射频中和器的吸收小一点，800V800mA的功率中空阴极中和器的吸收小一点。

从工艺试验中心严谨的试验和众多典型客户现场的实际反馈来看，总体来说，博顿RISE射频离子源在中空阴极中和器和RFC射频中和器这类中和器匹配下的工艺结果指标差异不大！ 针对不同的使用场景，客户可参照以上试验和案例数据，做出适当的配置选型，放心大胆应用。

<END>

关于博顿光电

“博顿光电”是一家专业从事新型离子源及离子束装备关键技术研发、设计和制造的创新型高科技企业，2019年认定为国家高新技术企业，2021年获批成立“广东省离子束装备工程技术研究中心”。核心团队在光电技术与微纳加工高端装备制造领域具备专业技术研发与设计能力，在国内离子束技术与装备产品领域处于第一梯队，已开拓和积累了上百家行业典型客户。公司主营业务与产品为：

博顿光电致力于通过高端离子源核心技术及离子束装备的国产化，打破国外垄断，从上游核心部件解决精密光电行业的“卡脖子”问题，有力支撑我国精密光学、光通信、OLED、半导体等战略性产业及相关产业的创新和发展升级。

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