带你了解RF射频芯片行业应用以及射频芯片测试重点需求

本文重点关注：

射频芯片的主要测试指标有驻波、插入损失、中心频率、带宽、带内波动、带外抑制、群延迟等。测试的难点在于:1)被测装置越来越小，测试频率越来越高，很多装置尺寸小于1mm，测试频率高达40GHZ以上；2)测量精度要求很高，板卡研发难度大。

S11表示的就是回波损耗，即有多少能量被反射回源端（Port1），这个值越小越好，一般建议S11<0.1，即一20db，S21表示插入损耗或正向传输系数，也就是有多少能量被传输到目的端（Port2）了，这个值越大越好，理想值是1，即0db，S11越大，说明信号传输损耗越低，传输的效率也就越高

RF射频芯片测试结构-来源于网络-图侵删

精密定制IC测试座 - 鸿怡电子官网

随着通信技术的变化和新应用领域的出现，射频前端芯片的复杂性不断提高，当前随着5G以及WIFI6升级高速通信标准，新的RF芯片广泛应用于手机、平板电脑、通信基站等通信平台。RF芯片测试目前对射频测试座的需求越来越高，主要是RF在极端环境下，芯片将使用老化测试、功能测试和特殊测试，这也对RF射频芯片测试座提出了更高的测试要求。

RF如何制作射频芯片测试座？产品设计依赖于数据，包括芯片PIN脚、尺寸（长度、宽度和厚度）、芯片间距、芯片形状、芯片运行频率和相应的插入损耗。如果RF芯片功率大，可能需要提供过流需求。

RF射频芯片

在鸿怡电子测试座socket实际应用中，射频集成电路领域的芯片测试座，主要为市场提供射频开关，MCU微控制器芯片、射频功率等射频分立器件及各种模块测试座产品，低功耗蓝牙微控制器芯片测试座

鸿怡电子旗下HMILU品牌测试座socket

目前市场上比较受欢迎的射频芯片封装类型是QFN封装，小编帮大家整理了几款比较常见的作为参考：

1、 QFN32pin-0.5mm-5×5mmshepin翻盖测试座socket

2、 QFN48pin-0.5mm-7×7mm射频芯片合金探针测试座socket，

要求：达到3GHZ频率，电流200mA

3、QFN64pin-0.5mm-9×9mm射频芯片socket测试座（加接地铜块）

4、LGA30pin-1.27mm-（11.1×20.3mm）射频芯片高频探针测试座

5、​WiFi射频模块37pin-0.8mm-12×14mm测试座socket

BGA射频芯片测试座

科普栏目｜为什么说“隔离芯片”就是“射频芯片”？

众所周知，在半导体行业中，隔离芯片主要用于在弱电控制强电的场景中实现高低压电路之间的电气隔离，并同时在电气隔离状态下实现数据信号的耦合传输。隔离芯片不仅能保障电路运行稳定，防止故障扩散，还可以保护电子控制设备和操纵人员的安全。

现阶段，隔离芯片的主流技术路径主要涵盖了光耦隔离、磁耦隔离以及容耦隔离三种，它们主要是基于不同的信号传输机制来实现电气隔离的功能。业界内，诸如TI（德州仪器）、纳芯微以及华普微等知名企业，均将容耦隔离技术作为其隔离芯片产品的主打技术路线。

具体而言，数据信号经电容耦合隔离芯片内部编码与调制后，可在高低压电路之间进行高质量传输，同时还能避免高低压电路之间产生电气连接。而正是这一特性使得电容耦合隔离芯片在工业、通信、新能源与电力等领域中的应用愈发广泛。

那么，“隔离芯片”与“射频芯片”有何关系？为什么要说电容耦合“隔离芯片”就是“射频芯片”呢?

首先，我们先了解何为射频芯片。 射频芯片是一种特殊的集成电路（IC），能够处理射频信号（电磁波信号），即利用天线将接收的电磁波信号转换为电信号，或者将电信号转换为电磁波信号进行传输。通常而言，射频芯片会涵盖调制器、解调器、放大器、滤波器、天线等元件。

典型射频系统框架图

其次，我们需要了解射频芯片如何收发信号， 以Sub-1GHz无线射频收发器CMT2300A为例：数据信号在传输时，会先在数字电路进行编码打包，而后在模拟电路、调制器（OOK或（G）FSK）与放大器作用下进行调制与放大，最终成为射频信号经天线传输出去。

CMT2300A功能系统示意图

而数据信号在接收时，会先由天线接收射频信号，经放大器进行放大，而后在调制器与模拟电路作用下进行解调，数字电路再将射频信号转换回原始的数据信号，最终在解码器中进行解码并填入FIFO，或者直接输出到GPO。

最后，我们来看电容耦合隔离芯片是如何在保持电气隔离状态下实现数据信号的耦合传输。 以双通道数字隔离器CMT8121X为例：

CMT8121X支持OOK调制方案，可以跨二氧化硅隔离栅进行数据信号传输，且每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅绝缘栅隔离。数据信号在传输时，发射器通过隔离栅发送高频载波表示一种数字状态，而不发送信号则表示另一种数字状态。数据信号在接收时，接收器在将信号进行预处理后进行信号解调，并通过缓冲级产生输出。

CMT8121X主要用于两个不同电源域间通讯，并采用先进电路技术，支持高达5kVrms隔离电压，且能以较低的功耗实现高电磁抗扰度和低辐射。与基于传统的光耦和电感的（磁隔）隔离器相比，采用二氧化硅隔离栅的CMT8121X所提供的介电强度较高，不会因暴露于环境湿度而退化，并且可以有大于40年的隔离寿命。

通过对比射频芯片与电容耦合隔离芯片的数据传输方式，可以看出：电容耦合隔离芯片实际上就是一个在微距离上实现无线射频收发系统的“射频芯片”。

而在射频芯片领域，华普微已深耕细作二十载余，其成熟稳健、技艺超群的无线射频研发团队，不仅将多年积累的技术精髓融入隔离芯片的设计之中，更在创新上不断突破，打造出了具有卓越性能与市场竞争力的隔离芯片产品。

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