5G产业链：射频功率放大器行业专题研究

1、5G智能移动终端，射频 PA的大机遇

1.1 射频功率放大器（PA）-射频器件皇冠上的明珠

射频功率放大器（PA） 作为射频前端发射通路的主要器件，主要是为了将调制振荡电路所产生的小功率的射频信号放大，获得足够大的射频输出功率，才能馈送到天线上辐射出去，通常用于实现发射通道的射频信号放大。

手机射频前端： 一旦连上移动网络，任何一台智能手机都能轻松刷朋友圈、看高清视频、下载图片、在线购物，这完全是射频前端进化的功劳，手机每一个网络制式（2G/3G/4G/WiFi/GPS），都需要自己的射频前端模块，充当手机与外界通话的桥梁—手机功能越多，它的价值越大。

射频前端模块是移动终端通信系统的核心组件， 对它的理解可以从两方面考虑：一是必要性，它是连接通信收发器（transceiver）和天线的必经之路；二是重要性，它的性能直接决定了移动终端可以支持的通信模式，以及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标，直接影响终端用户体验。

射频前端芯片包括功率放大器（PA），天线开关（Switch）、滤波器（Filter）、双工器（Duplexer 和 Diplexer）和低噪声放大器（LNA）等，在多模／多频终端中发挥着核心作用。

手机和 WiFi 连接的射频前端市场预计将在 2023 年达到 352 亿美元，复合年增长率为 14%。

射频前端产业中最大的市场为滤波器，将从 2017 年的 80 亿美元增长到2023 年 225 亿美元，复合年增长率高达 19%。该增长主要来自于 BAW 滤波器的渗透率显著增加，典型应用如 5G NR 定义的超高频段和 WiFi 分集天线共享。

功率放大器市场增长相对稳健，复合年增长率为 7%， 将从 2017 年的 50亿美元增长到 2023 年的 70 亿美元。高端 LTE 功率放大器市场的增长，尤其是高频和超高频，将弥补 2G/3G 市场的萎缩。

砷化镓器件应用于消费电子射频功放，是 3G/4G 通讯应用的主力， 物联网将是其未来应用的蓝海；氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域，利润率高且战略位置显著，由于更加适用于 5G，氮化镓有望在 5G 市场迎来爆发。

1.2 5G推动手机射频 PA 量价齐升

射频前端与智能终端一同进化， 4G 时代，智能手机一般采取 1 发射 2 接收架构。由于 5G 新增了频段（n41 2.6GHz，n77 3.5GHz 和 n79 4.8GHz），因此 5G 手机的射频前端将有新的变化，同时考虑到 5G 手机将继续兼容4G、3G 、2G 标准，因此 5G 手机射频前端将异常复杂。

预测 5G 时代，智能手机将采用 2 发射 4 接收方案。

无论是在基站端还是设备终端，5G 给供应商带来的挑战都首先体现在射频方面，因为这是设备“上”网的关键出入口，即将到来的 5G 手机将会面临多方面的挑战：

更多频段的支持： 因为从大家熟悉的 b41 变成 n41、n77 和 n78，这就需要对更多频段的支持；

不同的调制方向： 因为 5G 专注于高速连接，所以在调制方面会有新的变化，对功耗方面也有更多的要求。比如在 4G 时代，大家比较关注 ACPR。但到了 5G 时代，则更需要专注于 EVM（一般小于 1.5%）；

信号路由的选择： 选择 4G anchor+5G 数据连接，还是直接走 5G，这会带来不同的挑战。

开关速度的变化： 这方面虽然没有太多的变化，但 SRS 也会带来新的挑战。

其他如 n77/n78/n79 等新频段的引入，也会对射频前端形态产生影响，推动前端模组改变，满足新频段和新调谐方式等的要求。

Qorvo 指出，5G 将给天线数量、射频前端模块价值量带来翻倍增长。 以5G 手机为例，单部手机的射频半导体用量达到 25 美金，相比 4G 手机近乎翻倍增长。其中滤波器从 40 个增加至 70 个，频带从 15 个增加至 30 个，接收机发射机滤波器从 30 个增加至 75 个，射频开关从 10 个增加至 30 个，载波聚合从 5 个增加至 200 个。

5G 手机功率放大器（PA）用量翻倍增长： PA 是一部手机最关键的器件之一，它直接决定了手机无线通信的距离、信号质量，甚至待机时间，是整个射频系统中除基带外最重要的部分。手机里面 PA 的数量随着 2G、3G、4G、5G 逐渐增加。以 PA 模组为例，4G 多模多频手机所需的 PA 芯片为5-7 颗，预测 5G 手机内的 PA 芯片将达到 16 颗之多。

5G 手机功率放大器（PA）单机价值量有望达到 7.5 美元： 同时，PA 的单价也有显著提高，2G 手机用 PA 平均单价为 0.3 美金，3G 手机用 PA 上升到 1.25 美金，而全模 4G 手机 PA 的消耗则高达 3.25 美金，预计 5G 手机PA 价值量达到 7.5 美元以上。

载波聚合与 Massivie MIMO 对 PA 的要求大幅增加。 “一般情况下，2G只需非常简单的发射模块，3G 需要有 3G 的功率放大器，4G 要求更多滤波器和双工器载波器，载波聚合则需要有与前端配合的多工器，上行载波器的功率放大器又必须重新设计来满足线性化的要求。

5G 无线通信前端将用到几十甚至上百个通道，要求网络设备或者器件供应商能够提供全集成化的解决方案，这大大增加产品设计的复杂度，无论对器件解决方案还是设备解决方案提供商都提出了很大技术挑战。

1.3 GaAs 射频器件仍将主导手机市场

5G 时代，GaAs 材料适用于移动终端。 GaAs 材料的电子迁移率是 Si 的 6倍，具有直接带隙，故其器件相对 Si 器件具有高频、高速的性能，被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中，目前射频功率放大器绝大部分采用 GaAs 材料。在 GSM 通信中，国内的锐迪科和汉天下等芯片设计企业曾凭借 RF CMOS 制程的高集成度和低成本的优势，打破了采用国际龙头厂商采用传统的 GaAs 制程完全主导射频功放的格局。但是到了 4G 时代，由于 Si 材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等缺点，RF CMOS 已经不能满足要求，手机射频功放重新回到 GaAs 制程完全主导的时代。与射频功放器件依赖于 GaAs 材料不同，90%的射频开关已经从传统的 GaAs 工艺转向了 SOI（Silicon on insulator）工艺，射频收发机大多数也已采用 RF CMOS 制程，从而满足不断提高的集成度需求。

5G 时代，GaN 材料适用于基站端。 在宏基站应用中，GaN 材料凭借高频、高输出功率的优势，正在逐渐取代 Si LDMOS；在微基站中，未来一段时间内仍然以 GaAs PA 件为主，因其目前具备经市场验证的可靠性和高性价比的优势，但随着器件成本的降低和技术的提高，GaN PA 有望在微基站应用在分得一杯羹；在移动终端中，因高成本和高供电电压，GaN PA 短期内也无法撼动 GaAs PA 的统治地位。

全球 GaAs 射频器件被国际巨头垄断。 全球 GaAs 射频器件市场以 IDM 模式为主，主要厂商有美国 Skyworks、Qorvo、Broadcom，日本村田等。据 Strategy Analytics 统计，2016 年全球 GaAs 射频器件市场规模为 81.9亿美元，同比增长 0.9%。2016 年，Skyworks、Qorvo 和 Broadcom 在全球射频器件市场的占有率分别为 30.67%、27.97%和 7.39%，三家合计占有全球 66%的份额，Skyworks 和 Qorvo 更是处于全球遥遥领先的位置。

2017 年 GaAs 晶圆代工市场，台湾稳懋（Win Semi）独占全球 72.7%的市场份额，是全球第一大 GaAs 晶圆代工厂。

1.4 5G设备射频前端模组化趋势明显，SIP 大有可为

5G 将重新定义射频（RF）前端在网络和调制解调器之间的交互。 新的RF 频段（如 3GPP 在 R15 中所定义的 sub-6 GHz 和毫米波（mm-wave））给产业界带来了巨大挑战。

LTE 的发展，尤其是载波聚合技术的应用，导致当今智能手机中的复杂架构。同时，RF 电路板和可用天线空间减少带来的密集化趋势，使越来越多的手持设备 OEM 厂商采用功率放大器模块并应用新技术，如 LTE 和 WiFi之间的天线共享。

在低频频段，所包含的 600 MHz频段将为低频段天线设计和天线调谐器带来新的挑战。随着新的超高频率（N77、N78、N79）无线电频段发布，5G 将带来更高的复杂性。具有双连接的频段重新分配（早期频段包括N41、N71、N28 和 N66，未来还有更多），也将增加对前端的限制。毫米波频谱中的 5G NR 无法提供 5G 关键 USP 的多千兆位速度，因此需要在前端模组中具有更高密度，以实现新频段集成。

5G 手机需要 4X4 MIMO 应用，这将在手机中增加大量 RF 流。结合载波聚合要求，将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。

RF 系统级封装（SiP）市场可分为一级和二级 SiP 封装： 各种 RF 器件的一级封装，如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器（包括 RDL、RSV 和/或凸点步骤）；在表面贴装（SMT）阶段进行的二级 SiP 封装，其中各种器件与无源器件一起组装在 SiP 基板上。2018 年，射频前端模组 SiP 市场（包括一级和二级封装）总规模为 33 亿美元，预计 2018~2023 年期间的复合年均增长率（CAGR）将达到 11.3%，市场规模到 2023 年将增长至53 亿美元。

预测 2023 年，PAMiD SiP 组装预计将占 RF SiP 市场总营收的 39%。 2018 年，晶圆级封装大约占 RF SiP 组装市场总量的 9%。移动领域各种射频前端模组的 SiP 市场，包括：PAMiD（带集成双工器的功率放大器模块）、PAM（功率放大器模块）、Rx DM（接收分集模块）、ASM（开关复用器、天线开关模块）、天线耦合器（多路复用器）、LMM（低噪声放大器-多路复用器模块）、MMMB PA（多模、多频带功率放大器）和毫米波前端模组。

MEMS 预测，到 2023 年，用于蜂窝和连接的射频前端 SiP 市场将分别占SiP 市场总量的 82%和 18%。 按蜂窝通信标准，支持 5G（sub-6GHz 和毫米波）的前端模组将占到 2023 年 RF SiP 市场总量的 28%。高端智能手机将贡献射频前端模组 SiP 组装市场的 43%，其次是低端智能手机（35%）和奢华智能手机（13%）。

高通发布 5G 手机射频前端模组化方案。

2019 年 2 月，高通宣布推出面向 5G 多模移动终端的第二代射频前端（ RFFE）解决方案。 全 新推 出 的 产品 是 一 套完 整 的 ，可 与 全 新Qualcomm® 骁龙™ X55 5G 调制解调器搭配使用的射频解决方案，为支持6GHz 以下频段和毫米波频段的高性能 5G 移动终端提供从调制解调器到天线的完整系统。支持更纤薄、更高效的 5G 多模移动终端。高通同时还发布了全球首款宣布的 5G 100MHz包络追踪解决方案 QET6100、集成式5G/4G 功率放大器（PA）和分集模组系列，以及 QAT3555 5G 自适应天线调谐解决方案。高通 QET6100 将包络追踪技术扩展到 5G NR 上行所需的 100MHz 带宽和 256-QAM 调制，这在之前被认为是无法实现的。该解决方案与其他平均功率追踪技术相比，可将功效提升一倍，以更长的电池续航时间支持传输数据更快的终端，还可显著改善网络运营商非常关注的网络覆盖与网络容量。

Qualcomm 的全新先进射频前端功率放大器和分集模组包括：

功率放大器模组， 搭配 QET6100 支持 100MHz 5G 包络追踪。QPM6585、QPM5677 和 QPM5679 分别支持 n41、n77/78 和 n79 频段。

中/高频段 5G/4G 功率放大器模组 QPM5670 ，包括集成式低噪声放大器（LNA）、射频开关、滤波器和 5G 六工器。

低频段 5G/4G 功率放大器模组 QPM5621 ，包括集成式低噪声放大器、切换开关和滤波器，支持低频段/低频段载波聚合和双连接。

分集模组系列 QDM58xx ，包括集成式 5G/4G 低噪声放大器、射频开关和滤波器，支持 6GHz以下频段接收分集和多输入多输出（MIMO）。

为帮助 OEM 厂商应对日益增多的天线和频段给移动终端设计带来的挑战，Qualcomm 还推出了 QAT3555 Signal Boost 自适应天线调谐器，将自适应天线调谐技术扩展到 6GHz 以下的 5G 频段；与上一代产品相比，其封装高度降低了 25%，插入损耗显著减少。

2、5G基站，PA数倍增长，GaN 大有可为

2.1 5G基站，射频 PA 需求大幅增长

5G 基站 PA数量有望增长 16倍。 4G 基站采用 4T4R 方案，按照三个扇区，对应的 PA 需求量为 12 个，5G 基站，预计 64T64R 将成为主流方案，对应的 PA 需求量高达 192 个，PA 数量将大幅增长。

5G 基站射频 PA 有望量价齐升。 目前基站用功率放大器主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体 LDMOS 技术，不过 LDMOS 技术仅适用于低频段，在高频应用领域存在局限性。对于 5G 基站 PA 的一些要求可能包括3~6GHz 和 24GHz~40GHz 的运行频率，RF 功率在 0.2W~30W 之间，我们研判 5G 基站 GaN 射频 PA 将逐渐成为主导技术，而 GaN 价格高于LDMOS 和 GaAs。

GaN 具有优异的高功率密度和高频特性。 提高功率放大器 RF 功率的最简单的方式就是增加电压，这让氮化镓晶体管技术极具吸引力。如果我们对比不同半导体工艺技术，就会发现功率通常会如何随着高工作电压 IC 技术而提高。硅锗(SiGe)技术采用相对较低的工作电压（2 V 至 3 V），但其集成优势非常有吸引力。GaAs 拥有微波频率和 5 V 至 7 V 的工作电压，多年来一直广泛应用于功率放大器。硅基 LDMOS 技术的工作电压为 28V，已经在电信领域使用了许多年，但其主要在 4 GHz 以下频率发挥作用，因此在宽带应用中的使用并不广泛。新兴 GaN技术的工作电压为 28 V 至 50 V，优势在于更高功率密度及更高截止频率(Cutoff Frequency，输出讯号功率超出或低于传导频率时输出讯号功率的频率)，拥有低损耗、高热传导基板，开启了一系列全新的可能应用，尤其在 5G 多输入输出(Massive MIMO)应用中，可实现高整合性解决方案。

典型的 GaN 射频器件的加工工艺， 主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。

外延生长： 采用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）方式在 SiC 或 Si 衬底上外延 GaN材料。

器件隔离： 采用离子注入或者制作台阶（去除掉沟道层）的方式来实现器件隔离。射频器件之间的隔离是制作射频电路的基本要求。

欧姆接触 ：形成欧姆接触是指制作源极和漏极的电极。对 GaN材料而言，制造欧姆接触需要在很高的温度下完成。

氮化物钝化 ：在源极和漏极制作完成后，GaN 半导体材料需要经过钝化过程来消除悬挂键等界面态。GaN 的钝化过程通常采用 SiN（氮化硅）来实现。

栅极制作： 在 SiN 钝化层上开口，然后沉积栅极金属。至此，基本的场效应晶体管的结构就成型了。

场板制作： 栅极制作完成后，继续沉积额外的几层金属和氮化物，来制作场板、互连和电容，此外，也可以保护器件免受外部环境影响。

衬底减薄： 衬底厚度减薄至 100μm 左右，然后对减薄后的衬底背部进行金属化。

衬底通孔： 通孔是指在衬底上表面和下表面之间刻蚀出的短通道，用于降低器件和接地(底部金属化层)之间的电感。

GaN 材料已成为基站 PA的有力候选技术。 GaN 是极稳定的化合物，具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好，使得 GaN 器件比 Si 和 GaAs 有更强抗辐照能力，同时 GaN又是高熔点材料，热传导率高，GaN 功率器件通常采用热传导率更优的 SiC 做衬底，因此 GaN 功率器件具有较高的结温，能在高温环境下工作。GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为基站 PA 的有力候选技术。

GaN 射频器件更能有效满足 5G 的高功率、高通信频段和高效率等要求。 相较于基于 Si 的横向扩散金属氧化物半导体（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxide Semiconductor）和 GaAs，在基站端 GaN射频器件更能有效满足 5G 的高功率、高通信频段和高效率等要求。目前针对 3G 和 LTE 基站市场的功率放大器主要有 Si LDMOS 和 GaAs 两种，但 LDMOS 功率放大器的带宽会随着频率的增加而大幅减少，仅在不超过约 3.5GHz 的频率范围内有效，而 GaAs 功率放大器虽然能满足高频通信的需求，但其输出功率比 GaN 器件逊色很多。在 5G 高集成的 Massive MIMO 应用中，它可实现高集成化的解决方案，如模块化射频前端器件。在毫米波应用上，GaN 的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下，可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸。实现性能成本的最优化组合。随着 5G 时代的到来，小基站及 Massive MIMO 的飞速发展，会对集成度要求越来越高，GaN 自有的先天优势会加速功率器件集成化的进程。5G 会带动 GaN 这一产业的飞速发展。然而，在移动终端领域 GaN射频器件尚未开始规模应用，原因在于较高的生产成本和供电电压。GaN将在高功率，高频率射频市场发挥重要作用。

2.2 GaN射频 PA 有望成为 5G基站主流技术

预测未来大部分 6GHz 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件，小基站 GaAs 优势更明显。 就电信市场而言，得益于 5G 网络应用的日益临近，将从 2019 年开始为 GaN 器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和 GaAs（砷化镓）解决方案，GaN 器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。而且，GaN 的宽带性能也是实现多频带载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaN HEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。由于 LDMOS 无法再支持更高的频率，GaAs 也不再是高功率应用的最优方案，预计未来大部分6GHz 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件。5G 网络采用的频段更高，穿透力与覆盖范围将比 4G 更差，因此小基站（small cell）将在 5G 网络建设中扮演很重要的角色。不过，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs 等现有技术仍有其优势。与此同时，由于更高的频率降低了每个基站的覆盖率，因此需要应用更多的晶体管，预计市场出货量增长速度将加快。

预计到 2025 年 GaN 将主导 RF 功率器件市场，抢占基于硅 LDMOS 技术的基站 PA 市场。 根据 yole 的数据，2014 年基站 RF 功率器件市场规模为11 亿美元，其中 GaN 占比 11%，而横向双扩散金属氧化物半导体技术（LDMOS）占比 88%。2017 年，GaN 市场份额预估增长到了 25%，并且预计将继续保持增长。预计到 2025 年 GaN 将主导 RF 功率器件市场，抢占基于硅 LDMOS 技术的基站 PA 市场。

对于既定功率水平，GaN 具有体积小的优势。有了更小的器件，则可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。

氮化镓基 MIMO天线功耗可降低 40%。 下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波 5G 基站 MIMO 天线方案，左侧展示的是锗化硅基 MIMO 天线，它有1024 个元件，裸片面积是 4096 平方毫米，辐射功率是 65dbm，与之形成鲜明对比的，是右侧氮化镓基 MIMO 天线，尽管价格较高，但功耗降低了40%，裸片面积减少 94%。

GaN 适用于大规模 MIMO

GaN 芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃，能比较好的适用于大规模 MIMO 技术。 当前的基站技术涉及具有多达 8 个天线的 MIMO 配置，以通过简单的波束形成算法来控制信号，但是大规模 MIMO 可能需要利用数百个天线来实现 5G 所需要的数据速率和频谱效率。 大规模 MIMO 中使用的耗电量大的有源电子扫描阵列（AESA），需要单独的 PA 来驱动每个天线元件，这将带来显著的尺寸、重量、功率密度和成本（SWaP-C）挑战。这将始终涉及能够满足 64 个元件和超出 MIMO 阵列的功率、线性、热管理和尺寸要求，且在每个发射/接收（T/R）模块上偏差最小的射频 PA。

MIMO PA年复合增长率将达到 135%。 预计 2022 年，4G/ 5G 基础设施用RF 半导体的市场规模将达到 16 亿美元，其中，MIMO PA 年复合增长率将达到 135%，射频前端模块的年复合增长率将达到 119%。

预计未来 5～10 年， GaN 将成为 3W 及以上 RF 功率应用的主流技术。 根据 Yole 预测，2017 年，全球 GaN 射频市场规模约为 3.84 亿美元，在3W 以上（不含手机 PA）的 RF 射频市场的渗透率超过 20%。GaN 在基站、雷达和航空应用中，正逐步取代 LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长，GaN 在基站和无线回程中的应用持续攀升。

在未来的网络设计中，针对载波聚合和大规模输入输出（MIMO）等新技术，GaN 将凭借其高效率和高宽带性能，相比现有的 LDMOS 处于更有利的位置。未来 5～10 年内，预计 GaN 将逐步取代 LDMOS，并逐渐成为3W 及以上 RF 功率应用的主流技术。而 GaAs 将凭借其得到市场验证的可靠性和性价比，将确保其稳定的市场份额。LDMOS 的市场份额则会逐步下降，预测期内将降至整体市场规模的 15%左右。

到 2023 年，GaN RF 器件市场规模达到 13 亿美元，约占 3W 以上的 RF 功率市场的 45%。 截止 2018 年底，整个 RF GaN市场规模接近 4.85 亿美元。未来大多数低于 6GHz 的宏网络单元实施将使用 GaN 器件，无线基础设施应用占比将进一步提高至近 43%。

2.3 RF GaN市场的发展方向

GaN 技术主要以 IDM 为主。 经过数十年的发展，GaN 技术在全球各大洲已经普及。市场领先的厂商主要包括 Sumitomo Electric、Wolfspeed（Cree 科锐旗下）、Qorvo，以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺，GaN 技术的外延工艺要重要的多，会影响其作用区域的品质，对器件的可靠性产生巨大影响。这也是为什么目前市场领先的厂商都具备很强的外延工艺能力，并且为了维护技术秘密，都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。

GaN-on-SiC 更具有优势。 尽管如此，Fabless 设计厂商通过和代工合作伙伴的合作，发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系以及销售渠道，NXP 和 Ampleon 等领先厂商或将改变市场竞争格局。同时，目前市场上还存在两种技术的竞争：GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）和 GaN-onsilicon（硅上氮化镓）。它们采用了不同材料的衬底，但是具有相似的特性。理论上，GaN-on-SiC 具有更好的性能，而且目前大多数厂商都采用了该技术方案。不过，M/A-COM 等厂商则在极力推动 GaN-on-Silicon 技术的广泛应用。未来谁将主导还言之过早，目前来看，GaN-on-silicon 仍是GaN-on-SiC 解决方案的有力挑战者。

2.4 全球 GaN射频器件产业链竞争格局

境外 GaN射频器件产业链重点公司及产品进展

GaN 微波射频器件产品推出速度明显加快。 目前微波射频领域虽然备受关注，但是由于技术水平较高，专利壁垒过大，因此这个领域的公司相比较电力电子领域和光电子领域并不算很多，但多数都具有较强的科研实力和市场运作能力。GaN 微波射频器件的商业化供应发展迅速。据材料深一度对 Mouser 数据统计分析显示，截至 2018 年 4 月，共有 4 家厂商推出了150 个品类的 GaN HEMT， 占整个射频晶体管供应品类的 9.9%，较 1 月增长了 0.6%。

Qorvo 产品工作频率范围最大，Skyworks 产品工作频率较小。 Qorvo、CREE、MACOM 73%的产品输出功率集中在 10W～100W 之间，最大功率达到 1500W（工作频率在 1.0-1.1GHz， 由 Qorvo 生产），采用的技术主要是 GaN/SiC GaN 路线。此外，部分企业提供 GaN 射频模组产品，目前有 4家企业对外提供 GaN 射频放大器的销售，其中 Qorvo 产品工作频率范围最大，最大工作频率可达到 31GHz。Skyworks 产品工作频率较小，主要集中在 0.05-1.218GHz 之间。

Qorvo 射频放大器的产品类别最多。 在我国工信部公布的 2 个 5G 工作频段（3.3-3.6GHz、4.8-5GHz，）内，Qorvo 公司推出的射频放大器的产品类别最多，最高功率分别高达 100W 和 80W（1 月份 Qorvo 在 4.8-5GHz 的产品最高功率为 60W），ADI 在 4.8-5GHz 的产品最高功率提高到 50W（之前产品的最高功率不到 40W）， 其他产品的功率大部分在 50W 以下。

大陆 GaN射频器件产业链重点公司及产品进展： 欧美国家出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主创新，目前在 GaN 微波射频领域已取得显著成效，在军事国防领域和民用通信领域两个领域进行突破，打造了中电科 13 所、中电科 55 所、中兴通信、大唐移动等重点企业以及中国移动、中国联通等大客户。

苏州能讯推出了频率高达 6GHz、工作电压 48V、设计功率从 10W-320W的射频功率晶体管。 在移动通信方面，苏州能讯已经可以提供适合 LTE、4G、5G 等移动通信应用的高效率和高增益的射频功放管，工作频率涵盖1.8-3.8GHz，工作电压 48V，设计功率从 130W-390W，平均功率为 16W-55W。

3、5G时代，窄带物联网设备射频前端迎来发展新机遇

伴随着 5G 大幕拉开，特别是对于智能手机来说，新的应用和新需求，刺激着射频前端市场涌现出很多新名词，比如，MIMO，HPUE，NSA，SA，PAMiD 等等。射频前端需要更高整合度，从而支持更加复杂的频段和通信标准。

IOT 设备射频前端要求更低功耗，更长待机时间和更低的成本。 在手机市场追求更快更强的同时，有另外一个市场就是窄带物联网 (Cat-M /NB-IoT)，它在另外一个维度满足市场需求，比如更低功耗，更长待机时间和更低的成本。新的 Cat-M 和 NB-IoT 网络中，对于终端的要求在发生变化，应用于该设备的射频前端器件也有新的发展要求。新的射频前端需要在支持超宽带工作，并且保证低成本的情况下，满足更大范围的工作电压和工作温度，同时达到 3GPP 规定的射频性能标准。

NB-IoT 主要应用场景：

智能安全；

智能基础设施：智能路灯，智能井盖，智能充电，智能停车；

智能表计；

智能监控。

在有些领域，出现了迅速的增长：

电动自行车监控和管理

智能烟雾传感器

智能表计（水表／气表／电表）

另外，目前有一些基于 NB-IoT 的新的应用，也引起市场极大的兴趣。

智能停车服务：集成了云服务大数据平台，现场交通和停车位信息搜集，通过手机的电子支付，能实现方便的无人值守停车。

智能穿戴市场：得益于低功耗，NB-IoT 终端能够实现超长待机。通过运营商的广域网连接，定位数据和健康数据能自动上传到企业云的个人帐号中，摆脱了传统局域网或者需要连接手机同步数据的束缚。这一点非常适合给老人和小孩的无人看护或者出门定位服务。管理员通过划定电子安全区域，智能穿戴设备出了安全区后，报警信息会自动传到云端和管理员。

NB-IoT PA需要低成本和低功耗

基于蜂窝网的万物互联是一项有前景的新技术，从射频前端供应商的角度，我们看到了一些新的市场需求。新的垂直市场。在已有的蜂窝网需求的基础上，新的低成本和低功耗的解决方案，将会用到新的市场应用当中。

多种连接标准会同时共存。产品形态会表现为从简单的低功耗和单频段无线单元，一直到复杂的 LTE 和 5G New Radio 的全球蜂窝网解决方案。多样的应用场景和需求。复杂多样的最终用户市场还有应用，会带来需求和产品的多样化，其中包括室内的应用和户外的一些极端温度和高可靠性要求的场景。

NB-IoT 的 PA 要求低成本和高效。 NB-IoT 虽然有要求和 LTE 相同的上行功率(power class3)，但是信号的峰均比较低。另外，NB-IoT 采用半双工方式工作，避免使用 FDD 双工器，PA 后端的插入损耗小。这些因素可以让 NB-IoT 的 PA 更加偏向于非线性的设计，同时采用更小的 Die 设计，从而达到节省成本和提高效率的目的。

对于 NB-IoT PA 来讲，超宽带、低电压、极端温度和低成本是重点要考虑的方向。

超宽带： 以低频为例，NB-IoT PA 需要工作在 663MHz~915MHz，可用带宽是 252MHz。

低电压： 需要支持 1.8V 到 4.3V 工作电压，以便满足不同的电池环境需求。

高效率： 具备不同的功率模式，从而优化不同功率和电压下面的效率。同时在 headroom 设计方面，考虑到 Cat-M/NB 的最高输出功率需求。

极端温度： 满足-30/-40~+85 degree C 工作温度范围。

小尺寸： 典型的 NB 模块大小为 26.5mm x 22.5mm x 2.3mm。这个大约相当于一张名片的七分之一。射频前端的尺寸会是很重要的考虑因素。

低成本： NB 模块会逐步取代市场上的 2G 模块，销售价格日趋向 2G 模块靠拢。射频前端的价格竞争和成本考量无法避免。

4、5G渐行渐近，国际巨头纷纷布局射频产业

当前射频前端市场产业链已经非常成熟，欧美 IDM 大厂技术领先，规模优势明显。 例如其中在 SAW 滤波器中，全球 80%的市场份额被 Murata、TDK、TAIYO YUDEN 所瓜分，而在 4G、5G 中应用的 BAW 滤波器则被Avago（Broadcomm）和 Qorvo 占据 95%的市场空间，PA 全球 93%的市场集中在 Skyworks、Qorvo 和 Avago（Broadcomm）手中。

高通领先布局 5G，竞争者纷纷跟进。 随着 5G 手机和无线基础设施技术的成熟，相关应用将会出现。这需要一定的时间，许多厂商已经在为自己的“市场蛋糕”做好了准备。新的商业模式将会浮现：例如一些电信运营商正在部署 pre-5G 网络（自己的标准），作为光纤替代品应用于住宅宽带。高通（Qualcomm）在 5G 布局快人一步，已推出多款 5G 产品，其它厂商也都在探索之中。此外，英特尔（Intel）、三星（Samsung），以及领先的RF CMOS/SOI 代工厂（GLOBALFOUNDRIES、TOWERJAZZ、台联电、台积电等）都在布局 5G 射频产业。

博通（Broadcom）、Skyworks 在高频优势明显。 在 6 GHz 以下频段方面，目前的射频前端领导者，如博通（Broadcom）、Qorvo、Skyworks、村田（Murata），已经开始适应这些变化。Broadcom 通过将中高频融合在一起，为 5G 超高频段的到来做好了准备。凭借其 FBAR 体声波（BAW）滤波器技术，Broadcom 还掌握了高频和超高频的主要关键模块。Skyworks 定位于 5G 超高频市场，新推出了 Sky5 平台。这些先进的无线引擎包括高度集成的高性能发送/接收前端方案，以及分集接收（DRx）模块。此外，凭借其 SkyOne LiTE 平台，Skyworks 已在高端市场获得了一些设计大奖；在低端市场方面，赢得中国 OEM 厂商（华为、OPPO、vivo、小米）的青睐。

Qorvo 组合拳产品多元化。 采用类似的方法，分别通过 RF Fusion 和 RF Flex 平台提供涵盖高端和低端市场的广泛产品组合。Qorvo 的另一个优势在于其内部测试和封装能力，可以缩短响应时间并持续改进。值得注意的是，Qorvo 是第一家推出用于超高频段覆盖的射频前端模组厂商。Murata主要涉足低频段，但非常适合不断增长的多样化射频模组市场。高通（Qualcomm）是新进入者，带来了从调制解调器到天线的端到端解决方案。此外，对 TDK Epcos 滤波技术的战略投资已经初见成效。

毫米波有机会破坏竞争格局。 5G 将重新定义射频前端如何在网络和调制解调器之间“交互”。实际上，新的射频频段，6 GHz 以下频段（Sub-6 GHz）和毫米波，对该行业产生了巨大挑战，并有机会破坏市场竞争格局。除了 6 GHz 以下频段之外，毫米波频段将完全“破坏”射频前端产业，代表一种完全不同的技术思维，可以为高速传输数据创造新的途径。虽然Qualcomm 是明确的毫米波技术新进入者，但还有英特尔（Intel）、三星（Samsung）、海思（HiSilicon）、联发科（Mediatek）等企业也在探索这一新商机！

剑灵雷暗刺客PVE白皮书 加点卡刀教学

首先还是刺客的定位：

记得我玩剑灵的时候，剑灵是标榜着“打破战法牧铁三角”模式的新型MMORPG，副本里除了猫，并没有绝对意义的坦克职业存在。然而现在以及未来的剑灵会越来越向WOW的玩法靠拢，PVE方面24人副本中需要有明确的坦克职业——所以在10.15的技能更新中，大幅增强了剑士拳师的仇恨能力，确立了这两个职业的副本MT地位，使刺客作为MT活跃在副本中的时代一去不复返；同时NCsoft又将刺客曾经独一无二的方便的出血技能剥夺，给了力士（歼灭）和灵剑（台风斩，雷炎闪），同时力士和灵剑凭借其方便快速的控制技能成为实现多重控制的最佳辅助人员；隐身，烟雾防闪避这种功能性的应用则可由召唤代劳，并且召唤和咒术都是可以治疗他人的职业；增幅技能方面，咒术师MVP地位不容撼动，拳师和刺客同时拥有小超神，但刺客的黄雾花半径只有8码，相对于拳师的30码简直是后娘养的，同时黄雾花引发的抗性会妨碍拳师斗志散发，使其不能享受到1分半一次的快速冷却冲拳……一言以蔽之，刺客在副本中难以扮演“好队友”的角色，而现在刺客的回血能力和输出能力同样堪忧，可以说目前的刺客是没有团队定位的边沿职业，你根本不能理解为何NCsoft会脑残到如此程度。

我不会说“紫雾花永不凋零”这种艰涩的话，事实上你种紫雾花就是为了凋零！所以功利主义的考虑，你可以马上去Reroll召唤灵剑或者其他尚可一战的职业，如果要坚持刺客这个职业，要有爱，同时需要坚韧的毅力及财力。

然后关于雷暗之争：

一直以来我是回避这个话题的，主要原因还在于我觉得既然NCsoft通过技能属性的设定强行将各个职业分成两派，就有他的道理。无论暗还是雷都有存在价值，不可能哪一方面毫无可取之处，更有可能根据装备的更迭，出现三十年河东三十年河西的场景，没必要分出个你死我活。但是如果有人问我什么好时，我还是会推荐暗系，极限异毒八卦的出现，让雷系刺客的输出手法产生了变化，由主流的RF4转向RF，这里面就形成了一个问题：雷系RF并不依赖五毒（雷系刺客只需要目标身上有毒即可），雷系刺客可能完全不会去用吹毒这种技能，这样一来就使得传统的刺客间互相协助制造完美输出环境的合作关系遭到了破坏。开个玩笑，如果未来24人副本里，你是一个暗系刺客，但你的唯一的一位刺客队友是一个雷系刺客，即便他不用雷击步爆你的五毒，可能你会有打他的冲动……相比之下我个人对这个问题就是很敏感，向来我不太待见队伍里的雷系刺客，若是这位雷系刺客手法还不咋样，可能我还要刻薄得诟病他说：“祖师爷没给你这碗饭吃。”对暗系刺客来说，如果队伍里有多个刺客，可以共享毒素，那么可能你都不用点“毒刺迷雾斩”，也不需要频繁毒斩毒雷回身踢影匕上毒，明显1+1>2，而对于雷系刺客则不一定。另外武器BUFF的触发方面，由于攻击频率高出大约50%，暗系刺客也远远优于雷系，这就影响了很大的输出。

OK书归正传，以下是正式的内容了。

暗系刺客： 使用暗系首饰，优点操作简单，24人本中多刺客可以有效互补，增加所有暗系刺客的输出，缺点门槛较高（需要至少两种秘籍），终极形态造价较高。

暗系刺客技能常规加点：

部分技能说明：

键位1，潜行：通常3阶1段，部分需要晕眩控制的战斗，可以考虑点成3阶2段奔袭。

键位2，替身术：这里建议都点5阶1段，副本中除非有战术安排，绝对不要不考虑去点5阶2段，没有需要你去保护的2B队友，不要去想着为队友的2B负责……顺带一提有段时间我队伍里的召唤是严禁使用蒲公英保护的，因为出其不意的蒲公英保护会导致刺客进入隐身，然后出一发影匕，然后你不得不用一发踏影，更别说进隐身会打断生魂斩影了……

键位4，雷决：通常2阶2段，可用于出隐身，比背刺和无影脚伤害都高，需要用雷决进行晕眩控制的时候不加点或者改为2阶1段。

键位4，毒雾，这边强烈建议点3阶4段毒雾，相对与通常的3阶1段吹毒而言，动作时间更短，可以节约输出时间，同时对于生魂更加友好（使用生魂时一般是第4或者5发斩影后使用毒雾，这样7发斩影结束时候正好毒上到5层）。对于新手而言有一个误区是这个技能可以只点1点省技能点，然而这种做法是极端错误的，相对于传统的3阶1段，1阶1段吹毒慢=少输出时间=少输出，更有可能造成因为各种古怪原因吹不上5毒。

键位LB，背刺：通常3阶2段，需要晕眩连控的时候可以改为3阶1段的晕眩背刺接雷决，典型应用实例是绕背奔袭+3阶1段背刺+雷决+莲华脚，单人实现4晕眩。

键位LB，迷雾斩：通常是5阶2段，但如果队里刺客有2人，则可考虑5阶1段提高刺心的暴击率。该秘籍的重要程度5星，但对于现在的新人来说入手极简单，到50就送，官网新手礼包领取。

键位RB，刺心：对于暗系刺客来说刺心秘籍的意义在于增加有五毒但刺心不暴击时的连发速度，非常有用。该秘籍重要程度4星。

键位Q，侧身闪：我个人点左横步的时候比较多，因为左横步距离是8米，用起来各种随意，而侧身闪距离只有3米，附加的一次刺心必暴击性价比低，如果点数不太够用，不加点也罢。左横步和侧身闪还有个重要区别是侧身闪闪到怪物身后，左横步闪到左边，对于一些使用扇形攻击的BOSS，左横步在怪物左前方使用时，可能仍然会被打中，而侧身闪更为保险。

键位E，瞬步：瞬步不需要目标，解除移动限制，距离8米，右横步抵抗时间长，这个也是根据需要自选。

键位Z，毒雷：可以上1层毒是这个技能的关键，并且配合极限杀手八卦牌，CD降低为12秒，伤害较高。但这边仍然要说明，毒雷的存在意义主要在于上毒，不可将其用于输出伤害，“CD好了就扔”的做法是错误的。Z同时也是一个控制类的键位，可能根据战斗需要，有必要改为不加点（击倒）或2阶1段（虚弱）。

键位X，手里剑：很多人表示因为不缺内，手按不过来，会影响RF速度等多种的理由不卡X了，我只能说这是错误的。X释放时间非常短，影响其他技能极小，但在卡刀中加入X，能有效增加武器BUFF，以及戒指保护罩BUFF的触发次数以及覆盖率。对生魂刺客来说，X亦是打斩影时候重要的回内技能，若不考虑烟雾，则X是必点必用的技能。

键位X，踏影术：该技能对于暗系刺客来说，基本属于“不可加点”的技能，回身踢需要和影匕绑定使用，回身踢CD好而影匕CD没好，但是你回身踢了……属于错误的操作。回身踢+影匕通常只用在4层毒上5层毒的场合，通过影匕上毒以后按下“长线火雷”，然后背刺+踏影出隐身，你可以享受到大约17秒的五毒。

键位C，莲华乱舞：莲华乱舞是常用的PVE点法，然而有时候你需要点莲花脚来实现便利的双晕眩控制，譬如炼狱熔炉朱恶，奔袭+莲华脚也是很好的方案。

键位V，黄雾花：10.15的技能更新后唯一对暗系刺客而言有意义的改动，然而对实际对DPS提升的帮助并不是特别大。使用黄雾花的时机：1、配合超神，2、用于你的暗黑BUFF未触发，流星彗星BUFF层数较低时。值得注意的是，刺客的黄雾花半径只有8米，而拳师的斗志散发半径是30米，这两个技能共享一分钟的增幅抵抗状态，同时增幅抵抗中的拳师用不出斗志散发，会降低他使用连续冲拳的频率，所以如果有拳师要求不放黄雾花，你尽可以满足他。

暗系刺客的标准输出手法及输出理念：

开场正面潜行BOSS，吹毒或者毒雾上5毒，LXRF卡刀，5毒结束后等毒刺刺出来，BOSS身上有至少1毒时，毒斩，这时BOSS身上2或3层毒，如果毒的层数是3，毒雷回身踢影匕补到5层，挂长线火雷，安逸LXRF输出17秒。如果BOSS身上只有2层毒，或者毒雷CD，无法上毒，则利用戒指的保护罩BUFF，主动挨打蹭出抵抗，毒镖上毒。常规输出中不考虑进隐身，进隐身原则上只有两种情况，一是替身术反击或者Q抵抗BOSS技能进隐身，二是需要用回身踢影匕上一层毒。假设BOSS身上没有五毒，继续LXRF卡刀，不要介意刺心的前摇——比你进隐身RF输出高且稳定。

然而这一系列打法对于装备有很高的要求。甚至说你要主动善用装备去提高输出。——原则上，一个高端暗系刺客需要不断得主动去承受BOSS的各种攻击，通过高攻击频率去触发暗冥戒指的3次抵抗，然后换来黄帝的3次70%爆伤。

暗冥戒指12段，是高端暗系列刺客必不可少的装备，实战中保护罩覆盖率甚至可以超过50%，毒镖和黄帝的70%暴击伤害都靠它。

雷系刺客： 使用雷系首饰，优点门槛低（其实刚50也能玩雷系套路），并且装备可以比较马虎，缺点操作难度高，无法有效帮助队里其他刺客。

雷系技能常规加点：

键位F，暗黑杀：不加点的做法适用于武器使用祝福暗黑短刀或者流星特别是有极限异毒3或者8件套的刺客，不点雷电斩的意义在于要使用雷电杀。因为刺心+雷电斩一组需要的时间是0.6秒，而刺心+雷电杀只需要0.5秒，在国服装备刺心有巨额加成的情况下，选择更多打刺心的套路才是更好的，而极限异毒3件套带来的雷电杀伤害+50%，更使雷电杀的效率完全超过了雷电斩，你没有任何理由再去使用雷电斩。而用其他武器，若非极限异毒3件套以上，建议还是点雷电斩，用传统的RF4。

键位1，吸影：吸影对于雷系刺客同样是核心技能，虽然它有18秒的CD，但可以配合LB的3阶1段背刺降低CD。

键位3，无影步，有人说可以无影步接刺心不出隐身并停在目标位置，但我实际操作后发现很难掌握，如果确实必要，可以无影步+左横步或者瞬步维持隐身并迅速靠近目标。

键位4，雷决：这里是点3阶3段，用于回3内，通常刺心+雷电杀的打法用不上它回内，刺心+雷电斩，则实在缺内时再用它回内。顺带一提，即便是5毒状态下的雷决3阶3段，伤害也不高，毕竟手工控制使用它需要占用大约0.5秒时间，且雷决用在刺心后会连接不上雷电斩或雷电杀，相对而言不太划算。

键位4，毒雾：实际上雷系刺客可以不加这个技能的点，因为毒雷和毒斩都可以上毒，实在不行还有5阶2段的迷雾斩。

键位RB，刺心：出秘籍的意义只在于暴击后回1内，重要程度对雷系刺客而言应该是5星。

键位X，烟幕：这里是推荐点3阶3段，如果偶尔出了隐身，同时又没有其他手段可以进隐身，可以立即使用。2阶2段同样是一个好选择，一是它能提供远程抵抗，二是在BOSS脚下放置烟雾，可以防止BOSS闪避。

键位X，踏影术：2阶2段踏影术，用于重置回身踢CD，不得不说这里的暴击后才重置设计上是个败笔，给刺客的输出带来很多不确定因素。

其他没有提及的技能，多数和暗系的说明一致。

雷系刺客的标准输出手法及输出理念：

开场影袭BOSS，毒雷上1毒，RF卡刀，隐身剩余时间1秒时吸影，并马上背刺降低吸影CD时间，卡刀6秒后出隐身，毒斩回身踢进隐身，影匕，RF卡刀，背刺CD结束时马上背刺，继续RF卡刀，然后隐身剩余时间1秒时吸影……基本上说雷系的输出很复杂，吸影+背刺基本使吸影的CD变为9秒，而一轮隐身+吸影可以制造12秒的隐身时间，不出意外的话是能无限循环接上吸影的。但你需要注意在每轮回身踢或替身或者SS潜行等方法进隐身前后使BOSS身上至少有1层毒以打出吸影。扰乱姿态下有毒雷，毒斩，毒刺，隐身状态下有毒雷，影匕可以实现这一点，如果队里有其他的刺客特别是暗系刺客，应该会更为方便。但雷系刺客的操作实际是有点复杂的，我没有练习过的话也没法在实战中用好这一套。

基本上说，雷系刺客和暗系在输出时站位的理念是相反的，雷系刺客要注意尽可能避开BOSS的攻击，以防被打出隐身，同时对走位要求较高。相比之下也更难利用到戒指的最多3次抵抗效果——当然我不排除有人确实能用好。

武器选择方面 ，暗系刺客推荐祝福暗黑，而雷系刺客推荐流星12，使用祝福暗黑时对BUFF触发率的要求非常高，所以才会有这样的结论。不过据说马上就会出韩服驱魔武器一样的武器，不再强化技能，而是强化一定百分比的属性伤害，届时应该不论祝福暗黑还是流星12都会被淘汰掉了。

灵核选择方面： 无论雷系暗系均应选择苦痛灵核，皆因刺客不像剑士这种职业一样拥有长CD的爆发技能。

八卦选择及合成： 极限异毒>极限杀手>大地，副属性暴击>命中>格挡闪避>防御>血，合成则推荐无脑合暴击。不推荐暴伤的原因在于现在面对51级的BOSS，暴击率达不到面板值，而且暗系刺客在单刺客作战中都不会点5阶1段的迷雾斩，刺心暴击率本身就不高。

LXRF卡刀宏，鼠标依然推荐RAZER NAGA HEX，请京东购入，还是说如果有条件请购买两只。话说回来其实我并不卖鼠标，也不喜欢雷蛇的这个品牌，因为质量太差了，几乎4-6个月内必坏以至于你必须常备两只。但不得不说雷蛇鼠标的软件做的不错，而罗技的话就不做推荐。有人告诉我说罗技的宏和雷蛇的宏有区别，如果一个宏的内容是123456789，你选择“按下时候连发”，按键抬起时，雷蛇的反应是直接停下，你在执行到4时抬起，那么就停在4，你在执行到5时抬起，那么就停在5，而罗技的鼠标一定要执行完后面的6789才会停下，这里面差别就大了。当你抬起宏按键时想替身术，而宏继续执行完，导致你把雷击步放出来时，你会感到蛋疼。

顺便放上RF的宏，

游戏中的键位设置方法如下：

附：炼狱熔炉2号武乾BOSS各种技能的应对方法推荐 ——

三连普攻：硬吃或者看见其第一下打完替身

扫尾+正面击倒：替身术或者反身SS到其背后

三连转圈：第三下带击飞，所以第一下硬吃后，第二三下替身术（需要5阶1段）或者莲华乱舞抵抗，如果替身术和莲华乱舞都冷却，则SS雷击步拉开距离，之后再潜行回去

拉虚弱+震爆：什么都不做等他拉虚弱，交F后立即SS木叶疾斩回来即可

喷火：走位或者Q，而能走位躲的场合绝对不Q，这是暗系刺客的重要理念

暴炎状态震爆：Q即可

话说回来反身SS是剑士或者别的职业，或者生魂刺客才常用的技术，普通刺客应该主要去用SSF，这里我也懒得修正了。

相关问答

什么是宏基站，微基站，射频拉远，直放站和室内分布系统?

射频拉远和直放站的区别:射频拉远单元RRU(RemoteRadioUnit)带来了一种新型的分布式网络覆盖模式,它将大容量宏蜂窝基站集中放置在可获得的中心机房内,...射...

诸多优势“傍身”，小基站如何实现高质量发展?

无线电容量必须增加,才能达到5G的高数据速率期望。要满足5G的无线电容量,小基站前端将需要使用宽带宽放大,因为窄频段设备再也不能满足需要。RF产品组合...