重大突破！我国制备出国内第一片300mm 射频（RF）SOI晶圆。

据中国科学院上海微系统所官微消息，上海微系统所魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300mm 射频（RF）SOI晶圆。

很多人在问300mm的晶圆到底是多大？其实就是我们常说的12英寸，文中指的是一种专门做无线收发的半导体材料。

其实，SOI（全称为绝缘硅）晶圆，这种基材不光用于射频芯片，它还可以用于功率器件、汽车电子芯片、传感器等。

而这一次，上海微系统所主要是攻克了射频晶圆工艺上的一些技术难题，即依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题。

据了解，RF-SOI（射频绝缘体上硅）相较于传统的GaAs和SOS技术，不仅成本更低、集成度更高，还能发挥SOI材料结构优势，所生产的器件具有高品质、低损耗、低噪声等优势，主要用于制造智能手机和无线通信设备的前端射频模块。

众所周知，射频芯片虽然原理并不复杂，但制造难度却不低，甚至成为了我国通信领域卡脖子技术，其中就包括RF-SOI晶圆基础材料。

从市场格局来看，300mm的SOI硅片核心技术主要由法国Soitec半导体公司掌握，只有日本信越化学、SUMCO、中国台湾环球晶圆等少数企业具备生产能力。

而我们国内，沪硅产业子公司在获得Soitec公司技术授权后，也于2022年完成50亿定增，其中20亿用于SOI高端基材研发，建成后预计年产能将达到40万片/年。

这一次中国科学院上海微系统所从底层技术上进行攻关，成功实现了国内300mm SOI制造技术，标志着我国已经打破了从无到有的重大局面，今后咱们也可以用上自己的高标准RF-SOI晶圆了。

高通公司取得RF应用专利，实现异质结双极晶体管的优化

金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司取得一项名为“针对RF应用的异质结双极晶体管中的发射极-基极网格结构“，授权公告号CN111448665B，申请日期为2018年11月。

专利摘要显示，在某些方面，异质结双极晶体管(HBT)包括集电极台面(502)、集电极台面上的基极台面(504)以及基极台面上的发射极台面。发射极台面具有多个开口(510)。HBT还包括在连接到基极台面的多个开口中的多个基极金属(514)。

本文源自金融界

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